PMDPB65UP,115
|
MOSFET P-CH 20V DUAL SOT1118
|
Версия для печати
Технические характеристики PMDPB65UP,115
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 380pF @ 10V |
| Power - Max | 520mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-UDFN Exposed Pad |
| Корпус | 6-HUSON |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
