Версия для печати
Технические характеристики Si7842DP-T1-GE3
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 7.5A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Power - Max | 1.4W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | PowerPAK® SO-8 |
| Корпус | PowerPAK® SO-8 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
 | 2SA1667
PNP 150V, 2A, 25W, 20MHz
Купить |
 | IXFK64N50P
Транзистор N-канальный 500V 64A 830W 0,085R TO264A
Купить |
 | LM3S1138
Высокопроизводительный микроконтроллер с архитектурой arm® cortex™-m3 v7m, оптимизированный для небольших встраиваемых приложений
Купить |
