QS8J1TR
|
MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT8
|
Версия для печати
Технические характеристики QS8J1TR
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 4.5A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 31nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2450pF @ 6V |
| Power - Max | 1.25W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TSMT8 |
| Корпус | TSMT8 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
