ZXMC6A09DN8TA


Купить ZXMC6A09DN8TA ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
ZXMC6A09DN8TA MOSFET N+P 60V 4.8A 8-SOIC MOSFET N+P 60V 4.8A 8-SOIC
Версия для печати

Технические характеристики ZXMC6A09DN8TA

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs45 mOhm @ 8.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C3.9A, 3.7A
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs24.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1407pF @ 40V
Power - Max1.25W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SOP
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


ZXMC6A09DN8TA datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход