SI7540DP-T1-E3
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 7.6A, 5.7A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
| Power - Max | 1.4W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | PowerPAK® SO-8 |
| Корпус | PowerPAK® SO-8 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
 | Р В Р’В Р РЋРЎв„ў42301 500-0-500Р В РІР‚в„ў точность 1,5; 2,5; 60С…60С…50 816.00 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂВВВть |
 | KPT-2012SEC СветоРТвЂВВВР В Р’В Р РЋРІР‚ВВВРѕР҆РТвЂВВВля поверхностного Р В Р’В Р РЋР’ВВВонтажа 2.0С…1.25Р В Р’В Р РЋР’ВВВР В Р’В Р РЋР’ВВВоранжевый Р РЋР СвЂВВВла света Р В Р’В Р РЋР’ВВВаксРСвЂВВВР В Р’В Р РЋР’ВВВальная 200Р В Р’В Р РЋР’ВВВР В РЎв„ўР В РўвЂВВВДлРСвЂВВВР Р…Р В° волны   601РЅРњР’РСвЂВВВР В Р’В Р СћРІР‚ВВВР В Р’В Р РЋРІР‚ВВВР В Р’В Р РЋР’ВВВый СѓРіРѕР» 120Р С• РазРСВВВВер РєРѕСЂРїСѓСЃР°... РљСѓРїРСвЂВВВть |
