SI4933DY-T1-E3
|
MOSFET P-CH DUAL 12V 7.4A 8-SOIC
|
Версия для печати
Технические характеристики SI4933DY-T1-E3
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 9.8A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 7.4A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 500µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 70nC @ 4.5V |
| Power - Max | 1.1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
