Версия для печати
Технические характеристики Si7958DP-T1-E3
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 7.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5 mOhm @ 11.3A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 75nC @ 10V |
| Power - Max | 1.4W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | PowerPAK® SO-8 |
| Корпус | PowerPAK® SO-8 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
