Si7958DP-T1-GE3


Купить Si7958DP-T1-GE3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
Si7958DP-T1-GE3
Версия для печати

Технические характеристики Si7958DP-T1-GE3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C7.2A
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs16.5 mOhm @ 11.3A, 10V
FET FeatureLogic Level Gate
FET Type2 N-Channel (Dual)
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs75nC @ 10V
Power - Max1.4W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)PowerPAK® SO-8
КорпусPowerPAK® SO-8
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
ПК16-11С3026
Предназначен для установки на монтажную панель (внутри шкафа) 'Напряжение, В постоянного тока 1-30 переменного тока 1-250 Ток, А постоянный...
1831.20 руб Купить
ПКЕ 212-1М ПОВОРОТ НА 2 ПОЗИЦИИ
предназначены для коммутации электрических цепей управления переменного тока напряжением до 660 В частотой 50 и 60 Гц и постоянного тока напряжением д...
224.16 руб Купить
SS19
датчик Холла аналог биполярный -/+400G
Купить
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход