Версия для печати
Технические характеристики SI4913DY-T1-E3
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 9.4A, 4.5V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 7.1A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 500µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 65nC @ 4.5V |
| Power - Max | 1.1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
