SI9933CDY-T1-GE3

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SI9933CDY-T1-GE3 (SILICONIX.)	55	3-4 недели Цена по запросу

MOSFET P-CH DUAL 20V 4A 8-SOIC

Версия для печати

Технические характеристики SI9933CDY-T1-GE3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	2 P-Channel (Dual)
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	58 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	26nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	665pF @ 10V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SI9933CDY-T1-GE3 datasheet