ALD114835SCL
|
MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16SOIC
|
Версия для печати
Технические характеристики ALD114835SCL
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | EPAD® |
| FET Type | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET Feature | Depletion Mode |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540 Ohm @ 0V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 10.6V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 12mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.45V @ 1µA |
| Power - Max | 500mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 16-SOIC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
