SI4340DY-T1-E3
|
MOSFET 2N-CH 20V 7.3A/9.9A SO14
|
Версия для печати
Технические характеристики SI4340DY-T1-E3
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 9.6A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 7.3A, 9.9A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
| Power - Max | 1.14W, 1.43W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 14-SOICN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
