Si1967DH-T1-GE3


Купить SI1967DH-T1-GE3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
Si1967DH-T1-GE3
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
SI1967DH-T1-GE3 (SILICONIX.) 88 3-4 недели
Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики Si1967DH-T1-GE3

Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C1.3A
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs490 mOhm @ 910mA, 4.5V
FET FeatureLogic Level Gate
FET Type2 P-Channel (Dual)
СерияTrenchFET®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) @ Vgs4nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds110pF @ 10V
Power - Max1.25W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-TSSOP, SC-88, SOT-363
КорпусSC-70-6
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
IRFB38N20D
Транзистор полевой
Купить
DC08-11EWA
7-сегментный двухразрядный светодиодный индикатор с высотой символа 20.3мм (0.8 дюйма) Высота символа 20.3мм (0.8 дюйма). Малый ток потребления Лег...
Купить
Si4446DY
N-channel 40-v (d-s) mosfet
Купить
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход