SIA910EDJ-T1-GE3
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
SIA910EDJ-T1-GE3 (VISHAY.) |
7 651 |
3-4 недели
Цена по запросу
|
|
MOSFET N-CH 12V ESD SC-70-6
|
Версия для печати
Технические характеристики SIA910EDJ-T1-GE3
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 5.2A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 16nC @ 8V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 455pF @ 10V |
| Power - Max | 7.8W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Корпус | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
