SiA950DJ-T1-GE3


Купить SiA950DJ-T1-GE3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SiA950DJ-T1-GE3
Версия для печати

Технические характеристики SiA950DJ-T1-GE3

Gate Charge (Qg) @ Vgs4.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C950mA
Drain to Source Voltage (Vdss)190V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V
FET FeatureLogic Level Gate
FET Type2 N-Channel (Dual)
СерияLITTLE FOOT®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds90pF @ 100V
Power - Max7W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)PowerPAK® SC-70-6 Dual
КорпусPowerPAK® SC-70-6 Dual
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход