SIA778DJ-T1-GE3
|
MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6
|
Версия для печати
Технические характеристики SIA778DJ-T1-GE3
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 5A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V, 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.5A, 1.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 15nC @ 8V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 500pF @ 6V |
| Power - Max | 6.5W, 5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Корпус | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
