SI5980DU-T1-GE3
|
MOSFET N-CH 100V PPAK CHIPFET
|
Версия для печати
Технические характеристики SI5980DU-T1-GE3
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 567 mOhm @ 400mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 3.3nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 78pF @ 50V |
| Power - Max | 7.8W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| Корпус | PowerPAK® ChipFet Dual |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
