ALD111933MAL
|
MOSFET 2N-CH 10.6V 8MSOP
|
Версия для печати
Технические характеристики ALD111933MAL
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | EPAD® |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 Ohm @ 5.9V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 10.6V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6.9mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.35V @ 1µA |
| Power - Max | 500mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Корпус | 8-MSOP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
