FDC3601N
Dual n-channel 100v specified powertrench mosfet
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | PowerTrench® |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 1A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 153pF @ 50V |
| Power - Max | 700W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-SSOT, SuperSOT™-6 |
| Корпус | 6-SSOT |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 07/Dec/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
FDC3601N (MOSFET) Dual N-Channel 100V Specified PowerTrench MOSFET
Производитель:
|
 | РџРљРџ-25-44-27 Предназначены для ручного непосредственного или дистанционного Р·Р°РСыкания, разРСыкания Р С‘ переключения электрических цепей. РќРѕРСинальное напряжение, Р’ ~ 6... 4315.20 СЂСѓР± Купить |
 | Z0402SF РЎРёРСистор Р Р…Р В° 4Р В°, 700Р Р† Купить |
 | MC9S12E256M 16-разрядные Р Сикроконтроллеры РЎРѓ РЎРЏР Т‘РЎР‚Р С•Р С hcs12 Купить |
