FDMC8200
Dual n-channel powertrench® mosfet
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
FDMC8200 (FAIRCHILD.) |
177 |
3-4 недели
Цена по запросу
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики FDMC8200
| Серия | PowerTrench® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 6A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8A, 12A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 660pF @ 15V |
| Power - Max | 700mW, 900mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-PowerVDFN |
| Корпус | 8-Power33 (3x3) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
FDMC8200 (MOSFET)
Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET
Производитель:
Fairchild Semiconductor
|
