Версия для печати
Технические характеристики Si1965DH-T1-E3
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 390 mOhm @ 1A, 4.5V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 4.2nC @ 8V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 120pF @ 6V |
| Power - Max | 1.25W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Корпус | SC-70-6 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
