SIA519EDJ-T1-GE3
|
MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
|
Версия для печати
Технические характеристики SIA519EDJ-T1-GE3
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 350pF @ 10V |
| Power - Max | 7.8W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Корпус | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
