SI1972DH-T1-GE3


Купить SI1972DH-T1-GE3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SI1972DH-T1-GE3
Версия для печати

Технические характеристики SI1972DH-T1-GE3

Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C1.3A
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs225 mOhm @ 1.3A, 10V
FET FeatureLogic Level Gate
FET Type2 N-Channel (Dual)
СерияTrenchFET®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) @ Vgs2.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds75pF @ 15V
Power - Max1.25W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-TSSOP, SC-88, SOT-363
КорпусSC-70-6
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
TMP01FS
Датчик температуры -55+150 2термо реле +ИОН 1.49В 5В
1007.32 руб Купить
ПГК-2П16Н-К13
Поворотные галетные переключатели типа ПГГ Количество плат от 1 до 5, положений от 2 до 11, направлений от 1 до 20. Конец оси в 2 вариантах: с прямой ...
360.00 руб Купить
М42301 100-0-100В
точность 1,5; 2,5; 60х60х50
816.00 руб Купить
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход