SI3529DV-T1-E3


Купить SI3529DV-T1-E3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SI3529DV-T1-E3
Версия для печати

Технические характеристики SI3529DV-T1-E3

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияTrenchFET®
FET TypeN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs125 mOhm @ 2.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C2.5A, 1.95A
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds205pF @ 20V
Power - Max1.4W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-TSOP (0.065", 1.65mm Width)
Корпус6-TSOP
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход