SI5515CDC-T1-E3


Купить SI5515CDC-T1-E3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SI5515CDC-T1-E3
Версия для печати

Технические характеристики SI5515CDC-T1-E3

Gate Charge (Qg) @ Vgs11.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id800mV @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C4A
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs36 mOhm @ 6A, 4.5V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeN and P-Channel
СерияTrenchFET®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds632pF @ 10V
Power - Max3.1W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)1206-8 ChipFET™
Корпус1206-8 ChipFET™
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход