SI4925DDY-T1-GE3
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
SI4925DDY-T1-GE3 (SILICONIX.) |
1 666 |
3-4 недели
Цена по запросу
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики SI4925DDY-T1-GE3
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1350pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 50nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 7.3A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Power - Max | 5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
 | УП 5313-А6
Переключатели универсальные предназначены для коммутации электрических цепей управления и автоматики, для ручного переключения полюсов многоскоростных...
3600.00 руб Купить |
 | IRF7450
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
Купить |
 | LPY550AL
Двухосевой гироскоп с аналоговым выходом
Купить |
