Si6562CDQ-T1-GE3


Купить Si6562CDQ-T1-GE3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
Si6562CDQ-T1-GE3
Версия для печати

Технические характеристики Si6562CDQ-T1-GE3

Gate Charge (Qg) @ Vgs23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C6.7A, 6.1A
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs22 mOhm @ 5.7A, 4.5V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeN and P-Channel
СерияTrenchFET®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds850pF @ 10V
Power - Max1.6W, 1.7W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Корпус8-TSSOP
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
ПКБ1-2 ЧЕРН.
Кнопки предназначены для работы в устройствах ввода информации и в пультах управления специальной аппаратуры. Кнопки являются изделиями ручного управл...
460.80 СЂСѓР± РљСѓРїРёС‚СЊ
THN 15-2410WI
Dc/dc конвертер серии thn 15wi мощностью 15 ваттОсобенности: Самый маленький 15-Ваттный DC/DC конвертер в герметичном корпусе Экранированный метал...
Купить
TMR 3-2421WI
Dc/dc конвертер серии tmr 3wi мощностью 3 ватта, регулируемый выходОсобенности: Сверх-широкий диапазон входных напряжений 4:1 Полностью регулируем...
Купить
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход