ECH8619-TL-E
|
MOSFET N/P-CH 60V 3/2A ECH8
|
Версия для печати
Технические характеристики ECH8619-TL-E
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 93 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3A, 2A |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 12.8nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 560pF @ 20V |
| Power - Max | 1.3W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-ECH |
| Корпус | 8-ECH |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
