SP8K31TB1


Купить SP8K31TB1 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SP8K31TB1 MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC
Версия для печати

Технические характеристики SP8K31TB1

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET Type2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs120 mOhm @ 3.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C3.5A
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs5.2nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds250pF @ 10V
Power - Max2W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SOICN
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


SP8K31TB1 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход