SP8M8FU6TB


Купить SP8M8FU6TB ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SP8M8FU6TB MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOIC MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOIC
Версия для печати

Технические характеристики SP8M8FU6TB

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs30 mOhm @ 6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C6A, 4.5A
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs10.1nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds520pF @ 10V
Power - Max2W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SOICN
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


SP8M8FU6TB datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход