Версия для печати
Технические характеристики Si6913DQ-T1-E3
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 5.8A, 4.5V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.9A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 400µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 28nC @ 4.5V |
| Power - Max | 830mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Корпус | 8-TSSOP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
