SP8J65TB1


Купить SP8J65TB1 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SP8J65TB1 MOSFET P-CH DUAL 30V 7A 8SOIC MOSFET P-CH DUAL 30V 7A 8SOIC
Версия для печати

Технические характеристики SP8J65TB1

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET Type2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs29 mOhm @ 7A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C7A
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs18nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1200pF @ 10V
Power - Max2W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SOICN
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход