Версия для печати
Технические характеристики SI7220DN-T1-E3
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 4.8A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Power - Max | 1.3W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Корпус | PowerPAK® 1212-8 Dual |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
 | JYG-1223229C-YS6L2-VA
Графический жк модуль 122х32 точки
Купить |
 | IXTK82N25P
Polarht power mosfet
Купить |
 | IXTR200N10P
Polar hiperfet power mosfet
Купить |
