Версия для печати
Технические характеристики SI7956DP-T1-E3
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 4.1A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Power - Max | 1.4W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Корпус | PowerPAK® SO-8 Dual |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
