SI7962DP-T1-E3
|
MOSFET DUAL N-CH 40V 8-SOIC
|
Версия для печати
Технические характеристики SI7962DP-T1-E3
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | TrenchFET® |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 11.1A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 7.1A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Power - Max | 1.4W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | PowerPAK® SO-8 |
Корпус | PowerPAK® SO-8 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.