HCT802
|
MOSFET DUAL ENHANCE HERMETIC SMD
|
Версия для печати
Технические характеристики HCT802
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / Not applicable |
| FET Type | N and P-Channel |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 1A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 90V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2A, 1.1A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 70pF @ 25V |
| Power - Max | 500mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-SMD, No Lead |
| Корпус | 6-SMD |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
