TPC8212-H(TE12LQ,M


Купить TPC8212-H(TE12LQ,M ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
TPC8212-H(TE12LQ,M MOSFET N-CH DUAL 30V 6A SOP8 2-6 MOSFET N-CH DUAL 30V 6A SOP8 2-6
Версия для печати

Технические характеристики TPC8212-H(TE12LQ,M

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET Type2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs21 mOhm @ 3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C6A
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs16nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds840pF @ 10V
Power - Max750mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Корпус8-SOP (5.5x6.0)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


TPC8212-H(TE12LQ,M datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход