BSD840N L6327
|
MOSFET N-CH 20V 0.88A SOT363
|
Версия для печати
Технические характеристики BSD840N L6327
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | OptiMOS™ |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 880mA, 2.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 880mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 750mV @ 1.6µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 0.26nC @ 2.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 78pF @ 10V |
| Power - Max | 500mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Корпус | PG-SOT363-6 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
