AO4620

MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-SOIC

Версия для печати

Технические характеристики AO4620

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	N and P-Channel
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24 mOhm @ 7.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	7.2A, 5.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	14.125nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	792pF @ 15V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOIC

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

AO4620 datasheet

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SD1275	Биполярный транзистор NPN 60V, 2A, 35W, 20MHz, B 1000	MATSUSHITA
2SD1275	Биполярный транзистор NPN 60V, 2A, 35W, 20MHz, B 1000	MAT
2SD1275	Биполярный транзистор NPN 60V, 2A, 35W, 20MHz, B 1000		2	81.60
2SD1275	Биполярный транзистор NPN 60V, 2A, 35W, 20MHz, B 1000	PAN
2SD1275	Биполярный транзистор NPN 60V, 2A, 35W, 20MHz, B 1000	КИТАЙ
2SD1682		SANYO
2SD1682		SAN
2SD1682
2SD2499	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W		1	159.60
2SD2499	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	TOSHIBA
2SD2499	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	TOS
2SD2499	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	КИТАЙ
2SD2499	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	ISCSEMI
HER158 (1.5A 1000V)
MMBD2836LT1		ON SEMICONDUCTOR
MMBD2836LT1		LESHAN RADIO COMPANY
MMBD2836LT1		MOTOROLA
MMBD2836LT1		FRS/MOT
MMBD2836LT1		FRS
MMBD2836LT1			3	5.04
MMBD2836LT1		LESHAN RADIO COMPANY, LTD
MMBD2836LT1		MOTOROLA
MMBD2836LT1		ON SEMICONDUCTOR
MMBD2836LT1		ФИЛИППИНЫ
MMBD2836LT1		ONS