BSO615C G
|
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | SIPMOS® |
| FET Type | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 3.1A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.1A, 2A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 22.5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 380pF @ 25V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | PG-DSO-8 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
