MMDF1N05ER2G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MMDF1N05ER2G		306.80

Версия для печати

Технические характеристики MMDF1N05ER2G

Input Capacitance (Ciss) @ Vds	330pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	12.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2A
Drain to Source Voltage (Vdss)	50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 1.5A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	2 N-Channel (Dual)
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.