ALD1110ESAL
|
MOSFET N-CH ADJ DUAL 8SOIC
|
Версия для печати
Технические характеристики ALD1110ESAL
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | EPAD® |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 Ohm @ 5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1µA |
| Power - Max | 600mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOIC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
