ALD1108EPCL
|
MOSFET N-CH ADJ QUAD 16PDIP
|
Версия для печати
Технические характеристики ALD1108EPCL
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | EPAD® |
FET Type | 4 N-Channel (H-Bridge) |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 Ohm @ 5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3mA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1µA |
Power - Max | 600mW |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | 16-DIP (0.300", 7.62mm) |
Корпус | 16-PDIP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.