NDS8852H
|
MOSFET N+P 30V 3.4A 8-SOIC |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 3.4A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.3A, 3.4A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 300pF @ 15V |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
