USB10H
|
MOSFET P-CH DUAL 20V SSOT6
|
Версия для печати
Технические характеристики USB10H
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 1.9A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.9A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 4.2nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 441pF @ 10V |
| Power - Max | 700mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-SSOT, SuperSOT™-6 |
| Корпус | 6-SSOT |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
