PMWD19UN,518
|
MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8TSSOP |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchMOS™ |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5.6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 28nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1478pF @ 10V |
| Power - Max | 2.3W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-TSSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Корпус | 8-TSSOP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
