PMWD30UN,518


Купить PMWD30UN,518 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
PMWD30UN,518 MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8TSSOP MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8TSSOP
Версия для печати

Технические характеристики PMWD30UN,518

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияTrenchMOS™
FET Type2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs33 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C5A
Vgs(th) (Max) @ Id700mV @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs28nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1478pF @ 10V
Power - Max2.3W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-TSSOP (0.118", 3.00mm Width)
Корпус8-TSSOP
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


PMWD30UN,518 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход