SIF912EDZ-T1-E3
|
MOSFET N-CH 30V 2X5 6-POWERPAK
|
Версия для печати
Технические характеристики SIF912EDZ-T1-E3
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 7.4A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 7.4A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
| Power - Max | 1.6W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | PowerPAK® 2x5 |
| Корпус | PowerPAK® (2x5) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
