SI3909DV-T1-GE3
|
MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP
|
Версия для печати
Технические характеристики SI3909DV-T1-GE3
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 1.8A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 500mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSOP (0.065", 1.65mm Width) |
| Корпус | 6-TSOP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
