SI4214DDY-T1-GE3
|
Версия для печати
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 660pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.5 mOhm @ 8A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Power - Max | 3.1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
 | Д-701 Переключатели дистанционные серии Д-301 предназначены для коммутации электрических цепей постоянного и переменного тока (частотой до 1000 Гц) напряжен... 784.00 руб Купить |
 | П2Т-22В Масса переключателя не более 5 г Сопротивление изоляции не менее 1000 МОм Электрическая прочность изоляции 1200 В 99.36 руб Купить |
 | BAT54XY Счетверенный ограничительный диод шоттки в малом корпусе sot63 Купить |
